GaN tehnoloģija
Lādētājos izmantotā tehnoloģija ir lieliska ar to, ka lādētāja sastāvdaļas nesakarst, līdz ar to varam tās pārvietot tuvāk viena otrai un lādētājs neaizņem tik daudz vietas. Savienojums, ko sauc par gallija nitrīdu, uz kura ir balstīta šī tehnoloģija, palielina uzlādes efektivitāti un efektivitāti. Pateicoties šai tehnoloģijai, lādētājs ir ļoti efektīvs, bet tajā pašā laikā drošs.

Lādētāja priekšrocības
- Aizsardzība pret īssavienojumu, pārspriegumu, pārmērīgu uzlādi un augstu temperatūru
- Tīrs un gluds dizains
- Mazie izmēri: 36 x 36 x 36 mm
- GaN tehnoloģija – efektīva uzlāde bez pārkaršanas

Specifikācijas
- Ieejas: 100 - 240 V maiņstrāva 0,5 A - 50/60 Hz
- Izejas:

USB-C1/C2: 5 V līdzstrāva 3 A, 9 V līdzstrāva 2,22 A, 12 V līdzstrāva 1,67 A / 20 W maks.
Kopējā USB-C un USB-C izeja: koplietota 15 W

PPS 1:3,3 V–5,9 V līdzstrāva 3 A, maks. jauda 17,7W
PPS2: 3,3 V 11 V līdzstrāva 1,8 A, maks. jauda 19,8W