технология GaN
Технология, используемая в зарядных устройствах, удобна тем, что компоненты зарядного устройства не нагреваются, поэтому мы можем перемещать их ближе друг к другу, и зарядное устройство не занимает так много места. Соединение под названием нитрид галлия, на котором основана эта технология, повышает эффективность и результативность зарядки. Благодаря этой технологии зарядное устройство является высокоэффективным, но в то же время безопасным.

Преимущества зарядного устройства
- Защита от короткого замыкания, перенапряжения, перезарядки и высокой температуры.
- Чистый и гладкий дизайн
- Небольшие размеры: 36 х 36 х 36 мм.
- Технология GaN – эффективная зарядка без перегрева

Технические характеристики
- Входы: 100–240 В переменного тока, 0,5 А, 50/60 Гц.
- Выходы:

USB-C1/C2: 5 В постоянного тока, 3 А, 9 В постоянного тока, 2,22 А, 12 В постоянного тока, 1,67 А/20 Вт макс.
Общий выход USB-C и USB-C: общая мощность 15 Вт

PPS 1:3,3–5,9 В постоянного тока, 3 А, макс. мощность 17,7 Вт
PPS2: 3,3 В 11 В постоянного тока, 1,8 А, макс. мощность 19,8 Вт